Infineon IGBT模块, 6个, Ic 200 A, VCEO 600 V, EconoPACK
- RS 库存编号:
- 244-5866P
- 制造商零件编号:
- FS200R06KE3BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 2 | RMB824.48 |
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| 5 + | RMB784.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5866P
- 制造商零件编号:
- FS200R06KE3BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 200 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 6 | |
| 最大功率耗散 | 600 W | |
| 封装类型 | EconoPACK | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 200 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 6 | ||
最大功率耗散 600 W | ||
封装类型 EconoPACK | ||
Infineon IGBT 模块的最大额定集电极发射极电压为 600 V，总耗散功率为 600 W，最大栅极阈值电压为 6.5 V。
内部隔离基本绝缘（1 类，IEC 61140）
栅极-发射极峰值电压 + /- 20 V
集电极-发射极饱和电压 1.90 V
栅极-发射极泄漏电流 400 nA
栅极-发射极峰值电压 + /- 20 V
集电极-发射极饱和电压 1.90 V
栅极-发射极泄漏电流 400 nA