Infineon IGBT模块, 6个, Ic 280 A, VCEO 1200 V, EconoPACK
- RS 库存编号:
- 244-5873P
- 制造商零件编号:
- FS200R12PT4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 2 | RMB1,483.70 |
| 3 - 3 | RMB1,454.09 |
| 4 - 4 | RMB1,424.96 |
| 5 + | RMB1,396.46 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 244-5873P
- 制造商零件编号:
- FS200R12PT4BOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 280 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 1 kW | |
| 晶体管数 | 6 | |
| 封装类型 | EconoPACK | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 280 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 1 kW | ||
晶体管数 6 | ||
封装类型 EconoPACK | ||
Infineon IGBT 模块，带快速沟槽栅/场终止 IGBT4 和发射极控制 4 二极管，并按 FIT / NTC，可用于高功率转换器、电机驱动、牵引驱动、UPS 系统等。
电气特性
更大的工作温度范围 Tvj
低切换损耗
低 VCEsat
VCEsat 带正温度系数
机械特性
2.5 kV 交流 1min 绝缘
高功率密度
隔离式基板
标准壳体
更大的工作温度范围 Tvj
低切换损耗
低 VCEsat
VCEsat 带正温度系数
机械特性
2.5 kV 交流 1min 绝缘
高功率密度
隔离式基板
标准壳体