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- RS 库存编号:
- 245-6960P
- 制造商零件编号:
- NXH040F120MNF1PTG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 晶体管数 | 4 | |
| 最大功耗 Pd | 74W | |
| 包装类型 | F1-4PACK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 1200 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 系列 | NXH040F120MNF1PTG | |
| 高度 | 12.35mm | |
| 长度 | 48.8mm | |
| 宽度 | 34.1 mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 igbt模块 | ||
晶体管数 4 | ||
最大功耗 Pd 74W | ||
包装类型 F1-4PACK | ||
安装类型 表面 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 1200 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
系列 NXH040F120MNF1PTG | ||
高度 12.35mm | ||
长度 48.8mm | ||
宽度 34.1 mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor F1 4Pack SiC MOSFET 模块是电源模块，在 F1 封装中包含一个 40 m/1200 V SiC MOSFET 全桥和一个热敏电阻。
40 m/1200 V SiC MOSFET 半桥热敏电阻
具有预应用热接口材料和不带预应用 TIM 的选项
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这些设备无铅，无卤化物，且符合 RoHS 标准