onsemi IGBT模块, 双个, Ic 61 A, VCEO 1200 V, 箱 180AJ (无铅和无卤化物) 焊接引脚
- RS 库存编号:
- 245-6964P
- 制造商零件编号:
- NXH100B120H3Q0SG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 3 | RMB444.42 |
| 4 - 7 | RMB435.54 |
| 8 - 11 | RMB426.83 |
| 12 + | RMB418.30 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 245-6964P
- 制造商零件编号:
- NXH100B120H3Q0SG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 61 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 186 W | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 封装类型 | 箱 180AJ (无铅和无卤化物) 焊接引脚 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 61 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 186 W | ||
晶体管数 2 | ||
封装类型 箱 180AJ (无铅和无卤化物) 焊接引脚 | ||
ON Semiconductor 双升压电源模块是包含双升压级的电源模块。集成的场截止沟道 IGBT 和 SiC 二极管提供更低的传导损耗和切换损耗，使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。
1200 V 超场截止 IGBT
低反向恢复和快速切换 SiC 二极管
1600 V 旁路和抗并联二极管
低电感布局
可焊接引脚或压配引脚
热敏电阻选项，带预应用热接口材料，不带预应用 TIM
低反向恢复和快速切换 SiC 二极管
1600 V 旁路和抗并联二极管
低电感布局
可焊接引脚或压配引脚
热敏电阻选项，带预应用热接口材料，不带预应用 TIM