onsemi igbt模块, 6个, VCEO 1000 V, Q2BOOST-PIM53, 表面安装
- RS 库存编号:
- 245-6969P
- 制造商零件编号:
- NXH300B100H4Q2F2PG
- 制造商:
- onsemi
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- 245-6969P
- 制造商零件编号:
- NXH300B100H4Q2F2PG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1000V | |
| 最大功耗 Pd | 79W | |
| 晶体管数 | 6 | |
| 包装类型 | Q2BOOST-PIM53 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 17.7mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 系列 | NXH300B100H4Q2F2PG | |
| 宽度 | 47.3 mm | |
| 长度 | 93.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1000V | ||
最大功耗 Pd 79W | ||
晶体管数 6 | ||
包装类型 Q2BOOST-PIM53 | ||
安装类型 表面 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 17.7mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
系列 NXH300B100H4Q2F2PG | ||
宽度 47.3 mm | ||
长度 93.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor Q2BOOST 模块是高−Ω 密度集成电源模块，结合了高性能 IGBT 和 1200 V SiC 二极管。
极其高效的沟道，采用现场停止技术
低切换损耗可减少系统功耗
模块设计提供高功率密度
低电感布局
Q2BOOST 封装中的 3 通道
这些是无铅器件