onsemi IGBT模块, 4个, Ic 303 A, VCEO 1000 V, Q2PACK (无铅 / 无卤化物)
- RS 库存编号:
- 245-6974P
- 制造商零件编号:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 3 | RMB1,344.38 |
| 4 - 7 | RMB1,317.49 |
| 8 - 11 | RMB1,291.14 |
| 12 + | RMB1,265.31 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 245-6974P
- 制造商零件编号:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 303 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1000 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 4 | |
| 最大功率耗散 | 592 W | |
| 封装类型 | Q2PACK (无铅 / 无卤化物) | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 303 A | ||
最大集电极-发射极电压 1000 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 4 | ||
最大功率耗散 592 W | ||
封装类型 Q2PACK (无铅 / 无卤化物) | ||
Si/SiC 混合模块 - EliteSiC,I 型 NPC 1,000 V,350 A IGBT,1,200 V,100 A SiC 二极管,Q2 封装压接引脚
ON Semiconductor 三级 NPC Q2Pack 模块是高密度集成电源模块,结合了高性能 IGBT 和坚固的反并联二极管。
极其高效的沟道,采用场截止技术
低切换损耗可减少系统功耗
模块设计提供高功率密度
低电感布局
低封装高度
这些设备无铅,无卤,符合 RoHS 标准
低切换损耗可减少系统功耗
模块设计提供高功率密度
低电感布局
低封装高度
这些设备无铅,无卤,符合 RoHS 标准
