onsemi igbt模块, 4个, VCEO 1000 V, Q2PACK, 表面安装
- RS 库存编号:
- 245-6974P
- 制造商零件编号:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 245-6974P
- 制造商零件编号:
- NXH350N100H4Q2F2P1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1000V | |
| 晶体管数 | 4 | |
| 最大功耗 Pd | 592W | |
| 包装类型 | Q2PACK | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 12.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 47.3 mm | |
| 长度 | 93.1mm | |
| 系列 | NXH350N100H4Q2F2P1G | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1000V | ||
晶体管数 4 | ||
最大功耗 Pd 592W | ||
包装类型 Q2PACK | ||
安装类型 表面 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 12.3mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 47.3 mm | ||
长度 93.1mm | ||
系列 NXH350N100H4Q2F2P1G | ||
汽车标准 否 | ||
Si/SiC 混合模块 - EliteSiC，I 型 NPC 1,000 V，350 A IGBT，1,200 V，100 A SiC 二极管，Q2 封装压接引脚
ON Semiconductor 三级 NPC Q2Pack 模块是高密度集成电源模块，结合了高性能 IGBT 和坚固的反并联二极管。
极其高效的沟道，采用场截止技术
低切换损耗可减少系统功耗
模块设计提供高功率密度
低电感布局
低封装高度
这些设备无铅，无卤，符合 RoHS 标准