制造商编号

onsemi IGBT模块, 4个, Ic 303 A, VCEO 1000 V, Q2PACK (无铅 / 无卤化物)

RS 库存编号:: 245-6975
制造商零件编号:: NXH350N100H4Q2F2S1G
制造商:: onsemi

onsemi IGBT模块, 4个, Ic 303 A, VCEO 1000 V, Q2PACK (无铅 / 无卤化物)

可享批量折扣

小计（1 托盘，共 36 件）*

¥51,087.564

(不含税)

¥57,728.952

最后的 RS 库存

最终 36 个，准备发货

单位	每单位	Per Tray*
36 - 36	RMB1,419.099	RMB51,087.56
72 - 72	RMB1,390.717	RMB50,065.81
108 +	RMB1,362.903	RMB49,064.51

* 参考价格

RS 库存编号:: 245-6975
制造商零件编号:: NXH350N100H4Q2F2S1G
制造商:: onsemi

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

通过选择一个或多个属性来查找类似产品。

选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	最大连续集电极电流	303 A
	最大集电极-发射极电压	1000 V
	最大栅极发射极电压	±20V
	最大功率耗散	592 W
	晶体管数	4
	封装类型	Q2PACK (无铅 / 无卤化物)

	选择全部
	品牌 onsemi
	最大连续集电极电流 303 A
	最大集电极-发射极电压 1000 V
	最大栅极发射极电压 ±20V
	最大功率耗散 592 W
	晶体管数 4
	封装类型 Q2PACK (无铅 / 无卤化物)

Datasheet - NXH350N100H4Q2F2S1G

Si/SiC 混合模块 - EliteSiC，I 型 NPC 1,000 V，350 A IGBT，1,200 V，100 A SiC 二极管，Q2 封装焊接引脚

ON Semiconductor 三级 NPC Q2 封装模块是高密度集成电源模块，结合了高性能 IGBT 和坚固的反并联二极管。

极其高效的沟道，采用场截止技术
低切换损耗可减少系统功耗
模块设计提供高功率密度
低电感布局
低封装高度
这些设备无铅，无卤，无 BFR ，符合 RoHS 标准

onsemi IGBT模块, 4个, Ic 303 A, VCEO 1000 V, Q2PACK (无铅 / 无卤化物)

Si/SiC 混合模块 - EliteSiC，I 型 NPC 1,000 V，350 A IGBT，1,200 V，100 A SiC 二极管，Q2 封装焊接引脚

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。