onsemi IGBT模块, 双个, Q0PACK - 箱 180AJ (无铅和无卤化物焊接引脚)
- RS 库存编号:
- 245-6981
- 制造商零件编号:
- NXH40B120MNQ0SNG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 24 - 24 | RMB627.272 | RMB15,054.53 |
| 48 - 48 | RMB614.727 | RMB14,753.45 |
| 72 + | RMB602.433 | RMB14,458.39 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 245-6981
- 制造商零件编号:
- NXH40B120MNQ0SNG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 最大功率耗散 | 118 W | |
| 封装类型 | Q0PACK - 箱 180AJ (无铅和无卤化物焊接引脚) | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
晶体管数 2 | ||
最大功率耗散 118 W | ||
封装类型 Q0PACK - 箱 180AJ (无铅和无卤化物焊接引脚) | ||
全 SiC MOSFET 模块 | EliteSiC 双通道全 SiC 升压器,1,200 V,40 mohm SiC MOSFET + 1,200 V,40 A SiC 二极管镀镍 DBC
ON Semiconductor 3 通道升压 Q1 电源模块是包含双升压级的电源模块。集成的 SiC MOSFET 和 SiC 二极管提供更低的传导损耗和切换损耗,使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。
1200 V 40 m SiC MOSFET
低反向恢复和快速切换 SiC 二极管
1200 V 旁路和抗并联二极管
低电感布局可焊接引脚热敏电阻
此设备无铅,无卤素 / 无 BFR ,符合 RoHS 标准
低反向恢复和快速切换 SiC 二极管
1200 V 旁路和抗并联二极管
低电感布局可焊接引脚热敏电阻
此设备无铅,无卤素 / 无 BFR ,符合 RoHS 标准
