onsemi IGBT模块, 3个, Q1 3 通道升压 - 箱 180BQ 焊接引脚 (无铅)

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包装方式：
RS 库存编号:
245-6984
制造商零件编号:
NXH40B120MNQ1SNG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

晶体管数

3

最大功率耗散

156 W

封装类型

Q1 3 通道升压 - 箱 180BQ 焊接引脚 (无铅)

全 SiC MOSFET 模块 | EliteSiC 三通道全 SiC 升压器，1,200 V，40 mohm SiC MOSFET + 1,200 V，40 A SiC 二极管镀镍 DBC


ON Semiconductor NXH40B120MNQ1SNG 是包含三通道升压级的电源模块。集成的 SiC MOSFET 和 SiC 二极管提供更低的传导损耗和切换损耗，使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。

40 m/1200 V SiC MOSFET 半−Ω 桥接
电热调节器
具有预应用热接口材料和不带预应用 TIM 的选项
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这些设备无铅，无卤化物，且符合 RoHS 标准

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。