onsemi IGBT模块, 双个, Ic 101 A, VCEO 1000 V, Q2BOOST - 箱 180BR (无铅和无卤化物焊接引脚)
- RS 库存编号:
- 245-6987
- 制造商零件编号:
- NXH450B100H4Q2F2SG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 36 - 36 | RMB1,192.988 | RMB42,947.57 |
| 72 - 72 | RMB1,169.128 | RMB42,088.61 |
| 108 + | RMB1,145.746 | RMB41,246.86 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 245-6987
- 制造商零件编号:
- NXH450B100H4Q2F2SG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 101 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1000 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 最大功率耗散 | 79 W | |
| 封装类型 | Q2BOOST - 箱 180BR (无铅和无卤化物焊接引脚) | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 101 A | ||
最大集电极-发射极电压 1000 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 2 | ||
最大功率耗散 79 W | ||
封装类型 Q2BOOST - 箱 180BR (无铅和无卤化物焊接引脚) | ||
ON Semiconductor Q2BOOST 模块是 Si 或 SiC 混合三通道对称升压模块。每个通道包含两个 1000 V ， 150 A IGBT ，两个 1200 V ， 30 A SiC 二极管和两个 1600 V ， 30 A 旁路二极管。该模块包含一个 NTC 热敏电阻。
硅或 SiC 混合技术可最大程度提高功率密度
低切换损耗可减少系统功耗
低电感布局
压配和焊接引脚选项
此设备无铅，无卤，符合 RoHS 标准
低切换损耗可减少系统功耗
低电感布局
压配和焊接引脚选项
此设备无铅，无卤，符合 RoHS 标准