onsemi igbt模块, 2个, VCEO 1000 V, Q2BOOST - 180BR 外壳, 表面安装
- RS 库存编号:
- 245-6989P
- 制造商零件编号:
- NXH450B100H4Q2F2SG
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 3 | RMB1,157.78 |
| 4 - 7 | RMB1,134.62 |
| 8 + | RMB1,111.92 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 245-6989P
- 制造商零件编号:
- NXH450B100H4Q2F2SG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1000V | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 最大功耗 Pd | 79W | |
| 包装类型 | Q2BOOST - 180BR 外壳 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 系列 | NXH450B100H4Q2F2SG | |
| 高度 | 12.3mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 93.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1000V | ||
晶体管数 2 | ||
最大功耗 Pd 79W | ||
包装类型 Q2BOOST - 180BR 外壳 | ||
安装类型 表面 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
系列 NXH450B100H4Q2F2SG | ||
高度 12.3mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 93.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
ON Semiconductor Q2BOOST 模块是 Si 或 SiC 混合三通道对称升压模块。每个通道包含两个 1000 V ， 150 A IGBT ，两个 1200 V ， 30 A SiC 二极管和两个 1600 V ， 30 A 旁路二极管。该模块包含一个 NTC 热敏电阻。
硅或 SiC 混合技术可最大程度提高功率密度
低切换损耗可减少系统功耗
低电感布局
压配和焊接引脚选项
此设备无铅，无卤，符合 RoHS 标准