onsemi IGBT模块, 双个, Q0BOOST - 箱 180AJ (无铅和无卤化物焊接引脚)

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RS 库存编号:
245-6990
制造商零件编号:
NXH80B120MNQ0SNG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

晶体管数

2

最大功率耗散

69 W

封装类型

Q0BOOST - 箱 180AJ (无铅和无卤化物焊接引脚)

全 SiC MOSFET 模块 | EliteSiC 双通道全 SiC 升压器，1,200 V，80 mohm SiC MOSFET + 1,200 V，20 A SiC 二极管镀镍 DBC


ON Semiconductor 双升压电源模块是包含双升压级的电源模块。集成的 SiC MOSFET 和 SiC 二极管提供更低的传导损耗和切换损耗，使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。

1200 V 80 m SiC MOSFET
低反向恢复和快速切换 SiC 二极管
1600 V 旁路和反并联二极管
低电感布局可焊接引脚热敏电阻
这些设备无铅，无卤素 / 无 BFR ，符合 RoHS 标准

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。