onsemi , NXH80B120MNQ0SNG igbt模块, 2个, Q0BOOST - 180AJ 外壳, 表面安装

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包装方式:
RS 库存编号:
245-6991
制造商零件编号:
NXH80B120MNQ0SNG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

igbt模块

晶体管数

2

最大功耗 Pd

69W

包装类型

Q0BOOST - 180AJ 外壳

安装类型

表面

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

175°C

系列

NXH80B120MNQ0SNG

长度

55.2mm

宽度

32.8 mm

标准/认证

RoHS

高度

13.9mm

汽车标准

全 SiC MOSFET 模块 | EliteSiC 双通道全 SiC 升压器,1,200 V,80 mohm SiC MOSFET + 1,200 V,20 A SiC 二极管镀镍 DBC


ON Semiconductor 双升压电源模块是包含双升压级的电源模块。集成的 SiC MOSFET 和 SiC 二极管提供更低的传导损耗和切换损耗,使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。

1200 V 80 m SiC MOSFET

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1600 V 旁路和反并联二极管

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这些设备无铅,无卤素 / 无 BFR ,符合 RoHS 标准