onsemi IGBT模块, 4个, Ic 75 A, VCEO 1200 V, Q0PACK - 箱 180AB (无铅和无卤化物)
- RS 库存编号:
- 245-6993
- 制造商零件编号:
- NXH80T120L3Q0S3G
- 制造商:
- onsemi
小计（1 件）*
¥431.40
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(含税)
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- 30 件在 2025年12月08日 发货
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 + | RMB431.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 245-6993
- 制造商零件编号:
- NXH80T120L3Q0S3G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 最大连续集电极电流 | 75 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 4 | |
| 最大功率耗散 | 188 W | |
| 封装类型 | Q0PACK - 箱 180AB (无铅和无卤化物) | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
最大连续集电极电流 75 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 4 | ||
最大功率耗散 188 W | ||
封装类型 Q0PACK - 箱 180AB (无铅和无卤化物) | ||
ON Semiconductor Q0PACK 模块是一个电源模块，包含 T 型中性点，夹持三级变频器级。集成的场截止沟道 IGBT 和快速恢复二极管提供更低的传导损耗和切换损耗，使设计人员能够实现高效率和卓越的可靠性。
低切换损耗
低 VCEsat
紧凑型 65.9 mm x 32.5 mm x 12 mm 封装
具有预应用热接口材料和不带预应用 TIM 的选项
选件，带可焊接引脚和压配引脚热敏电阻
低 VCEsat
紧凑型 65.9 mm x 32.5 mm x 12 mm 封装
具有预应用热接口材料和不带预应用 TIM 的选项
选件，带可焊接引脚和压配引脚热敏电阻