Infineon igbt模块, 4个, VCEO 650 V, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 248-1199
- 制造商零件编号:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 248-1199
- 制造商零件编号:
- F3L100R07W2H3B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 晶体管数 | 4 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 12mm | |
| 长度 | 56.7mm | |
| 系列 | F3L100R07W2H3B11 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 42.5 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
晶体管数 4 | ||
安装类型 通孔 | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 12mm | ||
长度 56.7mm | ||
系列 F3L100R07W2H3B11 | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 42.5 mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 的这款 EasyPACK 2B 650 V、100 A 3 级 IGBT 模块配有 Trench/Fieldtop IGBT H3 和快速二极管以及 PressFIT / NTC。该器件采用紧凑型设计，使用便捷，性能得到了优化。该器件具备额外的优势，如阻断电压能力提高到 650 V、低电感设计、低开关损耗和低 VCE (sat)。它使用 Al2O3 基片和 PressFIT 触点技术，热电阻低。由于随附集成式安装夹，该器件安装牢固。
性价比最高，且降低系统成本
设计自由度高，并采用 IGBT HighSpeed 3 技术
效率最高，功率密度最高