Infineon IGBT模块, 4个, Ic 85 A, VCEO 650 V
- RS 库存编号:
- 248-1201
- 制造商零件编号:
- F3L150R07W2H3B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | RMB408.505 | RMB6,127.58 |
| 30 - 30 | RMB400.335 | RMB6,005.03 |
| 45 + | RMB388.325 | RMB5,824.88 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 248-1201
- 制造商零件编号:
- F3L150R07W2H3B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 85 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 4 | |
| 最大功率耗散 | 20 mW | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 85 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 4 | ||
最大功率耗散 20 mW | ||
Infineon 的这款 EasyPACK 2B 650 V、100 A 3 级 IGBT 模块配有 Trench/Fieldtop IGBT H3 和快速二极管以及 PressFIT / NTC。该器件采用紧凑型设计，使用便捷，性能得到了优化。该器件具备额外的优势，如阻断电压能力提高到 650 V、低电感设计、低开关损耗和低 VCE (sat)。它使用 Al2O3 基片和 PressFIT 触点技术，热电阻低。由于随附集成式安装夹，该器件安装牢固。该器件使用 IGBT HighSpeed 3 技术。
性价比最高，且降低系统成本
设计自由度高
效率最高，功率密度最高
设计自由度高
效率最高，功率密度最高