STMicroelectronics IGBT, Ic 30 A, VCEO 650 V, H2PAK-2, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 248-4893
- 制造商零件编号:
- STGH30H65DFB-2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 248-4893
- 制造商零件编号:
- STGH30H65DFB-2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 30A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 260W | |
| 包装类型 | H2PAK-2 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.55V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.4mm | |
| 高度 | 4.7mm | |
| 系列 | STGH30H65DFB | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 Ic 30A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 260W | ||
包装类型 H2PAK-2 | ||
安装类型 通孔 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.55V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.4mm | ||
高度 4.7mm | ||
系列 STGH30H65DFB | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
这款意法半导体产品为采用先进的专有场截止型沟槽栅结构开发的 IGBT。此设备属于 H 系列绝缘栅双极晶体管（IGBT），可在传导和切换损耗之间实现最佳平衡，从而最大程度地改善切换频率转换器的效率。此外，VCE(sat) 温度系数略微偏正且参数分布非常紧密，可让并联操作更安全。
AEC-Q101 认证
高速切换系列
并联更安全
参数分布更紧密
低热电阻
反并联软快恢复二极管