STMicroelectronics IGBT, Ic 60 A, VCEO 650 V, H2PAK-2
- RS 库存编号:
- 248-4894P
- 制造商零件编号:
- STGH30H65DFB-2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB26.70 |
| 100 - 249 | RMB25.90 |
| 250 - 499 | RMB25.12 |
| 500 + | RMB24.36 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 248-4894P
- 制造商零件编号:
- STGH30H65DFB-2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 | 60 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 最大功率耗散 | 260 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | H2PAK-2 | |
| 配置 | 单 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 60 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
最大功率耗散 260 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 H2PAK-2 | ||
配置 单 | ||
这款意法半导体产品为采用先进的专有场截止型沟槽栅结构开发的 IGBT。此设备属于 H 系列绝缘栅双极晶体管（IGBT），可在传导和切换损耗之间实现最佳平衡，从而最大程度地改善切换频率转换器的效率。此外，VCE(sat) 温度系数略微偏正且参数分布非常紧密，可让并联操作更安全。
AEC-Q101 认证
高速切换系列
并联更安全
参数分布更紧密
低热电阻
反并联软快恢复二极管
高速切换系列
并联更安全
参数分布更紧密
低热电阻
反并联软快恢复二极管