STMicroelectronics , STGYA50M120DF3 IGBT, Ic 50 A, VCEO 1200 V, 3引脚, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 248-4896
- 制造商零件编号:
- STGYA50M120DF3
- 制造商:
- STMicroelectronics
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- RS 库存编号:
- 248-4896
- 制造商零件编号:
- STGYA50M120DF3
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 50A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 535W | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.7V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 21.1 mm | |
| 长度 | 15.9mm | |
| 高度 | 5.1mm | |
| 系列 | STGYA50M120DF3 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 50A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 535W | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.7V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 21.1 mm | ||
长度 15.9mm | ||
高度 5.1mm | ||
系列 STGYA50M120DF3 | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
这款意法半导体产品为采用先进的专有场截止型沟槽栅结构开发的 IGBT。此设备属于 M 系列 IGBT，对于极为需要低损耗和短路功能的逆变器系统，在性能和效率之间取得最佳平衡。此外，VCE(sat) 温度系数为正且参数分布紧密，可让并联操作更安全。
最大接点温度 175 °C
短路耐受时间 10 μs
VCEsat 参数低
参数分布紧密
VCEsat 温度系数为正
低热阻
反并联软快恢复二极管