Infineon IGBT模块, 双个, Ic 750 A, VCEO 1700 v
- RS 库存编号:
- 250-0224
- 制造商零件编号:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 10 - 10 | RMB2,260.21 | RMB22,602.10 |
| 20 - 20 | RMB2,215.006 | RMB22,150.06 |
| 30 + | RMB2,148.556 | RMB21,485.56 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 250-0224
- 制造商零件编号:
- FF750R17ME7DB11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 750 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1700 v | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 20 mW | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 750 A | ||
最大集电极-发射极电压 1700 v | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 20 mW | ||
晶体管数 2 | ||
Infineon EconoDUAL™ 3 1700 V、750 A 双 TRENCHSTOP™ IGBT7，配有放大的发射器控制 7 二极管、NTC 和 PressFIT 触点技术。
集成温度传感器
高电流密度
低 VCEsat
过载运行温度高达 175°
TRENCHSTOP™ IGBT7
VCEsat 带正温度系数
再生运算用放大二极管
高功率密度
隔离基板
PressFIT 触点技术
标准外壳
高电流密度
低 VCEsat
过载运行温度高达 175°
TRENCHSTOP™ IGBT7
VCEsat 带正温度系数
再生运算用放大二极管
高功率密度
隔离基板
PressFIT 触点技术
标准外壳