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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB9.246 | RMB46.23 |
| 50 - 95 | RMB8.782 | RMB43.91 |
| 100 - 245 | RMB8.344 | RMB41.72 |
| 250 - 995 | RMB7.928 | RMB39.64 |
| 1000 + | RMB7.532 | RMB37.66 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 253-3500
- 制造商零件编号:
- BIDD05N60T
- 制造商:
- Bourns
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Bourns | |
| 最大连续集电极电流 | 5 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±30V | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 最大功率耗散 | 82 W | |
| 封装类型 | TO-252 | |
| 配置 | 单二极管 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Bourns | ||
最大连续集电极电流 5 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±30V | ||
晶体管数 1 | ||
最大功率耗散 82 W | ||
封装类型 TO-252 | ||
配置 单二极管 | ||
这款 Bourns IGBT 设备结合了 MOS 栅和双极晶体管的技术，为高电压和高电流应用提供最佳组件。此设备使用沟栅式场截止技术，可更好地控制动态特性，集电极-发射极饱和电压（VCE（sat））更低、开关损耗更少。此外，这种结构可提高设备的坚固性。
600V，5A，低 VCE（sat）
沟栅式场截止技术
传导优化
坚固
符合 RoHS 标准
沟栅式场截止技术
传导优化
坚固
符合 RoHS 标准