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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB8.782 |
| 100 - 245 | RMB8.344 |
| 250 - 995 | RMB7.928 |
| 1000 + | RMB7.532 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 253-3500P
- 制造商零件编号:
- BIDD05N60T
- 制造商:
- Bourns
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Bourns | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 600V | |
| 最大功耗 Pd | 82W | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 系列 | BIDD05N60T | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Bourns | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 600V | ||
最大功耗 Pd 82W | ||
包装类型 TO-252 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
系列 BIDD05N60T | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Bourns IGBT 设备结合了 MOS 栅和双极晶体管的技术，为高电压和高电流应用提供最佳组件。此设备使用沟栅式场截止技术，可更好地控制动态特性，集电极-发射极饱和电压（VCE（sat））更低、开关损耗更少。此外，这种结构可提高设备的坚固性。
600V，5A，低 VCE（sat）
沟栅式场截止技术
传导优化
坚固
符合 RoHS 标准