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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB29.345 | RMB58.69 |
| 10 - 48 | RMB27.88 | RMB55.76 |
| 50 - 98 | RMB26.765 | RMB53.53 |
| 100 - 248 | RMB25.96 | RMB51.92 |
| 250 + | RMB23.915 | RMB47.83 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 253-3509
- 制造商零件编号:
- BIDW50N65T
- 制造商:
- Bourns
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Bourns | |
| 最大连续集电极电流 | 50 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 416 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 配置 | 单二极管 | |
| 封装类型 | TO-247 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Bourns | ||
最大连续集电极电流 50 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 416 W | ||
晶体管数 1 | ||
配置 单二极管 | ||
封装类型 TO-247 | ||
这款 Bourns IGBT 设备结合了 MOS 栅和双极晶体管的技术，为高电压和高电流应用提供最佳组件。此设备使用沟栅式场截止技术，可更好地控制动态特性，集电极-发射极饱和电压（VCE（sat））更低、开关损耗更少。此外，此结构提供更低的热阻 R（th）。
650 V，50 A，低集电极-发射极饱和电压（VCE（sat））
沟栅式场截止技术
传导优化
符合 RoHS 标准
沟栅式场截止技术
传导优化
符合 RoHS 标准