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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 48 | RMB27.88 |
| 50 - 98 | RMB26.765 |
| 100 - 248 | RMB25.96 |
| 250 + | RMB23.915 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 253-3509P
- 制造商零件编号:
- BIDW50N65T
- 制造商:
- Bourns
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Bourns | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 100A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.65V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS Compliant | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Bourns | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 100A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
包装类型 TO-247 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 V (Gate-Emitter Voltage VGE ) | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.65V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS Compliant | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Bourns IGBT 设备结合了 MOS 栅和双极晶体管的技术，为高电压和高电流应用提供最佳组件。此设备使用沟栅式场截止技术，可更好地控制动态特性，集电极-发射极饱和电压（VCE（sat））更低、开关损耗更少。此外，此结构提供更低的热阻 R（th）。
650 V，50 A，低集电极-发射极饱和电压（VCE（sat））
沟栅式场截止技术
传导优化
符合 RoHS 标准