Infineon , FP75R12N3T7B11BPSA1 IGBT, VCEO 1200 V
- RS 库存编号:
- 253-9839
- 制造商零件编号:
- FP75R12N3T7B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 1 | RMB741.27 |
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| 4 - 5 | RMB711.92 |
| 6 + | RMB697.68 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 253-9839
- 制造商零件编号:
- FP75R12N3T7B11BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.85V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 系列 | FP75R12N3T7B11B | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 宽度 | 62.5 mm | |
| 长度 | 122mm | |
| 高度 | 17mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.85V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
系列 FP75R12N3T7B11B | ||
标准/认证 RoHS | ||
宽度 62.5 mm | ||
长度 122mm | ||
高度 17mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon FP75 系列是 EconoPIM 3 模块,带 IGBT 和发射器控制二极管和 PressFIT 或 NTC。
过载操作高达 175°C,低 VCEsat,高功率和热循环能力,集成 NTC 温度传感器,铜基板,PressFIT 触点技术,标准壳体