制造商编号

Infineon IGBT, Ic 80 A, VCEO 1.42 V, PG-TO247-4

RS 库存编号:: 257-9262P
制造商零件编号:: IKZ75N65ES5XKSA1
制造商:: Infineon

Infineon IGBT, Ic 80 A, VCEO 1.42 V, PG-TO247-4

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RS 库存编号:: 257-9262P
制造商零件编号:: IKZ75N65ES5XKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流	80 A
	最大集电极-发射极电压	1.42 V
	最大栅极发射极电压	20V
	晶体管数	1
	最大功率耗散	395 W
	配置	单
	封装类型	PG-TO247-4

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 80 A
	最大集电极-发射极电压 1.42 V
	最大栅极发射极电压 20V
	晶体管数 1
	最大功率耗散 395 W
	配置单
	封装类型 PG-TO247-4

Datasheet - IKZ75N65ES5XKSA1

Infineon IKZ 系列是 650 V、75 A IGBT,带抗平行二极管,采用 TO 247 封装。硬切换 650 V,75 A 高速 TRENCHSTOP 5 S5 IGBT,采用 TO 247-4 封装,带附加 Kelvin 发射器引脚。TO 247 4 引脚为栅极发射器控制回路提供超低电感,并将 TRENCHSTOP 5 IGBT 提升到同类最佳切换性能的下一级。

非常低的控制电感回路
额外发射器引脚,第四封装引脚,用于驱动器反馈
与标准 TO 247 封装相同的集电极发射器爬行距离

Infineon IGBT, Ic 80 A, VCEO 1.42 V, PG-TO247-4

该产品为定制化产品，不可取消或退货，并遵循RS销售条款和条件。