Infineon IGBT, Ic 65 A, VCEO 1200 V, AG-EASY2B-711
- RS 库存编号:
- 258-0906P
- 制造商零件编号:
- FS75R12W2T7B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计 2 件 (按托盘提供)*
¥731.16
(不含税)
¥826.22
(含税)
暂时缺货
- 在 2027年6月18日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 3 | RMB365.58 |
| 4 - 5 | RMB354.61 |
| 6 + | RMB347.52 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0906P
- 制造商零件编号:
- FS75R12W2T7B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 65 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 封装类型 | AG-EASY2B-711 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 65 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
封装类型 AG-EASY2B-711 | ||
Infineon EasyPACK 2B 1200 V、75 A 六包 IGBT 模块,带 TRENCHSTOP IGBT7、发射器控制 7 二极管、NTC 和 PressFIT 触点技术。
Al2O3 基片,具有低热阻
高功率密度
紧凑型设计
PressFIT 触点技术
高功率密度
紧凑型设计
PressFIT 触点技术
