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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB6.251 | RMB312.55 |
| 100 - 100 | RMB6.063 | RMB303.15 |
| 150 + | RMB5.882 | RMB294.10 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0984
- 制造商零件编号:
- IGP10N60TXKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大功率耗散 | 110W | |
| 封装类型 | PG-TO-220-3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大功率耗散 110W | ||
封装类型 PG-TO-220-3 | ||
Infineon 硬切换 600 V、10 A 单 TRENCHSTOP IGBT3 在 TO220 封装中,由于槽电池和现场停止概念的组合,可显著改善设备的静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射器控制二极管的组合可进一步减少打开损耗。由于切换和导电损耗之间的最佳妥协,可实现最高效率。
高坚固性、温度稳定的行为
低 EMI 排放
低门充电
非常紧密的参数分布
低 EMI 排放
低门充电
非常紧密的参数分布