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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB21.255 | RMB42.51 |
| 10 - 18 | RMB19.125 | RMB38.25 |
| 20 - 28 | RMB18.035 | RMB36.07 |
| 30 - 38 | RMB15.655 | RMB31.31 |
| 40 + | RMB14.875 | RMB29.75 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0989
- 制造商零件编号:
- IGP40N65F5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 封装类型 | PG-TO220-3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
封装类型 PG-TO220-3 | ||
Infineon 硬切换 650 V、40 A TRENCHSTOP 5 IGBT 分立,采用 TO-247 封装,满足高效率要求。同类最佳效率,从而降低接点和外壳温度,从而提高器件可靠性。
00mV 降低 V CE(sat)
低 C OES/E OSS
轻度正温度系数 V CE(sat)
V f 的温度稳定性
低 C OES/E OSS
轻度正温度系数 V CE(sat)
V f 的温度稳定性