Infineon IGBT, Ic 161 A, VCEO 650 V, TO-247
- RS 库存编号:
- 258-0993P
- 制造商零件编号:
- IGZ100N65H5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 2 - 4 | RMB42.52 |
| 5 - 9 | RMB41.67 |
| 10 - 14 | RMB40.84 |
| 15 + | RMB40.03 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0993P
- 制造商零件编号:
- IGZ100N65H5XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 161A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 最大功耗 Pd | 536W | |
| 包装类型 | TO-247 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.65V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | ±20 ±30 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC | |
| 系列 | High Speed Fifth Generation | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 161A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
最大功耗 Pd 536W | ||
包装类型 TO-247 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.65V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO ±20 ±30 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC | ||
系列 High Speed Fifth Generation | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon TRENCHSTOP 5 IGBT 技术是一种高功率封装,带附加 Kelvin 发射器引脚。TO-247 4 引脚为栅极发射器控制回路提供超低电感,并将 TRENCHSTOP 5 IGBT 提升到同类最佳切换性能的下一级。采用标准 TO-247 封装主体,并添加了额外的第 4 引脚,以启用 Kelvin 发射器配置。
极低控制电感回路
发射器引脚,用于驱动器反馈
在高电流条件下的效益增加
IGBT 在较低的接线温度下工作