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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 1 | RMB33.39 |
| 2 - 4 | RMB30.04 |
| 5 - 9 | RMB28.36 |
| 10 - 14 | RMB27.78 |
| 15 + | RMB27.23 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-1018
- 制造商零件编号:
- IKW50N65ET7XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 封装类型 | PG-TO247-3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
封装类型 PG-TO247-3 | ||
Infineon 硬切换 650 V、50 A TRENCHSTOP IGBT7 分立,采用 TO-247 封装,内部带软质 EC7 二极管。此价格性能优化系列具有优质的可控性,可实现更好的 EMI,同时切换损耗低于之前的技术。
低关闭损耗
短尾线电流
减少 EMI
湿度坚固的设计
非常柔软、快速恢复的抗平行二极管
短尾线电流
减少 EMI
湿度坚固的设计
非常柔软、快速恢复的抗平行二极管