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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 99 | RMB32.44 |
| 100 - 249 | RMB30.28 |
| 250 - 499 | RMB26.83 |
| 500 + | RMB25.14 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3757P
- 制造商零件编号:
- IMBG120R350M1HXTMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 4.7A | |
| 产品类型 | igbt模块 | |
| 最大功耗 Pd | 65W | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | JEDEC47/20/22 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 4.7A | ||
产品类型 igbt模块 | ||
最大功耗 Pd 65W | ||
包装类型 TO-263 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 JEDEC47/20/22 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon CoolSiC1200 V、350 mΩ SiC MOSFET 采用 D2PAK-7L 封装,基于最先进的槽式半导体工艺,经优化可将性能与操作可靠性结合在一起。CoolSiC 技术的低功耗与 XT 互连技术结合在新型 1200 V 优化 SMD 封装中,可在驱动器、充电器和工业电源等应用中实现卓越的效率和无源冷却潜力。
非常低的切换损耗
短路耐受时间,3 μs
完全可控制的 dV/dt
提高效率
启用更高频率
增强的功率密度