Infineon IGBT, Ic 30 A, VCEO 600 V, TO-263-3
- RS 库存编号:
- 258-7725P
- 制造商零件编号:
- IKB10N60TATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB13.682 |
| 100 - 245 | RMB13.00 |
| 250 - 495 | RMB12.088 |
| 500 + | RMB10.998 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-7725P
- 制造商零件编号:
- IKB10N60TATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 30 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | 20V | |
| 最大功率耗散 | 110W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 配置 | 单集电极、单发射极、单栅极 | |
| 封装类型 | TO-263-3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 30 A | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 20V | ||
最大功率耗散 110W | ||
晶体管数 1 | ||
配置 单集电极、单发射极、单栅极 | ||
封装类型 TO-263-3 | ||
Infineon IGBT discrete 带有 TO-263 套件中的反平行二极管。由于槽电池和现场停止概念的组合，它可显著改善设备的静态和动态性能。它还具有低导电和切换损耗。
最低 VCEsat 降压，可降低导电损耗
由于 VCEsat 中的正温度系数，易于并行切换能力
非常柔软、快速恢复反平行发射器控制二极管
高坚固性、温度稳定的行为
低栅极电荷
由于 VCEsat 中的正温度系数，易于并行切换能力
非常柔软、快速恢复反平行发射器控制二极管
高坚固性、温度稳定的行为
低栅极电荷