Infineon IGBT, Ic 24 A, VCEO 600 V, TO-263

可享批量折扣

小计 50 件 (按连续条带形式提供)*

¥674.10

(不含税)

¥761.75

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 940 件在 2026年3月26日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
50 - 95RMB13.482
100 - 245RMB12.81
250 - 495RMB11.912
500 +RMB10.838

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
258-7725P
制造商零件编号:
IKB10N60TATMA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

24A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

600V

最大功耗 Pd

110W

包装类型

TO-263

最大栅极发射极电压 VGEO

±20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.5V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

JEDEC1

系列

TRENCHSTOPTM

汽车标准

Infineon IGBT discrete 带有 TO-263 套件中的反平行二极管。由于槽电池和现场停止概念的组合,它可显著改善设备的静态和动态性能。它还具有低导电和切换损耗。

最低 VCEsat 降压,可降低导电损耗

由于 VCEsat 中的正温度系数,易于并行切换能力

非常柔软、快速恢复反平行发射器控制二极管

高坚固性、温度稳定的行为

低栅极电荷