Infineon IGBT晶体管模块, Ic 95 A, VCEO 650 V, ACEPACK 2
- RS Stock No.:
- 259-1502
- Mfr. Part No.:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Brand:
- Infineon
Subtotal (1 tray of 15 units)*
¥5,973.03
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¥6,749.52
(inc. VAT)
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Units | Per unit | Per Tray* |
|---|---|---|
| 15 + | RMB398.202 | RMB5,973.03 |
*price indicative
- RS Stock No.:
- 259-1502
- Mfr. Part No.:
- FS75R07W2E3B11ABOMA1
- Brand:
- Infineon
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 95 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 275 W | |
| 配置 | 阵列6 | |
| 封装类型 | ACEPACK 2 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 95 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 275 W | ||
配置 阵列6 | ||
封装类型 ACEPACK 2 | ||
Infineon easy pack 2B 模块,带 trenchstop IGBT3、发射器控制 3 二极管和 PressFIT / NTC。
阻塞电压能力增加至 650V
低切换损耗
低 VCEsat
Trench IGBT 3
Al2O3 基片,具有低热阻
高功率密度
低切换损耗
低 VCEsat
Trench IGBT 3
Al2O3 基片,具有低热阻
高功率密度