Infineon IGBT晶体管模块, Ic 80 A, VCEO 650 V, PG-TO247-3
- RS 库存编号:
- 259-1527P
- 制造商零件编号:
- IGW50N65F5FKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 10 - 24 | RMB27.74 |
| 26 - 98 | RMB27.685 |
| 100 - 198 | RMB22.705 |
| 200 + | RMB22.045 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1527P
- 制造商零件编号:
- IGW50N65F5FKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 305 W | |
| 封装类型 | PG-TO247-3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 305 W | ||
封装类型 PG-TO247-3 | ||
Infineon 全新 TRENCHSTOPIGBT 技术通过为硬切换应用提供无与伦比的效率性能,重新定义了“同类最佳” IGBT。新系列是 IGBT 创新领域的重大突破,可满足未来市场的高效需求。它具有同类最佳效率,从而降低接点和外壳温度,从而提高器件可靠性。 总线电压可增加 50V,而不会影响可靠性。
650V 突破电压
与 Infineon 的同类最佳高速 3 系列相比
因数 2.5 低 Q g
2 倍降低切换损耗
200mV 降低 V CE(sat)
低 C OES/E OSS
轻度正温度系数 V CE(sat)
温度稳定
与 Infineon 的同类最佳高速 3 系列相比
因数 2.5 低 Q g
2 倍降低切换损耗
200mV 降低 V CE(sat)
低 C OES/E OSS
轻度正温度系数 V CE(sat)
温度稳定