Infineon IGBT晶体管模块, Ic 80 A, VCEO 650 V, PG-TO247-3
- RS 库存编号:
- 259-1532
- 制造商零件编号:
- IKW50N65F5FKSA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 管，共 30 件）*
¥482.70
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 30 + | RMB16.09 | RMB482.70 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1532
- 制造商零件编号:
- IKW50N65F5FKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 305 W | |
| 封装类型 | PG-TO247-3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 650 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 305 W | ||
封装类型 PG-TO247-3 | ||
Infineon 高速硬切换 IGBT 配有 RAPID 1 快速和软抗平行二极管,采用 TO-247 封装,定义为“同类最佳” IGBT。它具有同类最佳效率,从而降低接点和外壳温度,从而提高器件可靠性。 总线电压可增加 50 V,而不会影响可靠性。
650 V 突破电压
与同类最佳的 HighSpeed 3 系列相比
因数 2.5 低 Qg
2 倍降低切换损耗
VCEsat 减少 200mV
配有快速 Si 二极管技术
低 COES/EOSS
轻度正温度系数 VCEsa
与同类最佳的 HighSpeed 3 系列相比
因数 2.5 低 Qg
2 倍降低切换损耗
VCEsat 减少 200mV
配有快速 Si 二极管技术
低 COES/EOSS
轻度正温度系数 VCEsa