Infineon igbt模块, 3针, Ic 50 A, VCEO 650 V, PG-TO-247, High Speed Fifth Generation系列

RS 库存编号:: 259-1533P
制造商零件编号:: IKW50N65F5FKSA1
制造商:: Infineon

Infineon igbt模块, 3针, Ic 50 A, VCEO 650 V, PG-TO-247, High Speed Fifth Generation系列

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RS 库存编号:: 259-1533P
制造商零件编号:: IKW50N65F5FKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流 Ic	50A
	产品类型	igbt模块
	最大集电极-发射极电压 Vceo	650V
	最大功耗 Pd	305W
	包装类型	PG-TO-247
	引脚数目	3
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.6V
	最低工作温度	-40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO	±20 ±30 V
	最高工作温度	175°C
	宽度	16.13mm
	标准/认证	JEDEC, RoHS
	系列	High Speed Fifth Generation
	长度	41.42mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 Ic 50A
	产品类型 igbt模块
	最大集电极-发射极电压 Vceo 650V
	最大功耗 Pd 305W
	包装类型 PG-TO-247
	引脚数目 3
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.6V
	最低工作温度 -40°C
	最大栅极发射极电压 VGEO ±20 ±30 V
	最高工作温度 175°C
	宽度 16.13mm
	标准/认证 JEDEC, RoHS
	系列 High Speed Fifth Generation
	长度 41.42mm
	汽车标准否

Datasheet - IKW50N65F5FKSA1

Infineon 高速硬切换 IGBT 配有 RAPID 1 快速和软抗平行二极管,采用 TO-247 封装,定义为“同类最佳” IGBT。它具有同类最佳效率,从而降低接点和外壳温度,从而提高器件可靠性。总线电压可增加 50 V,而不会影响可靠性。

650 V 突破电压

与同类最佳的 HighSpeed 3 系列相比

因数 2.5 低 Qg

2 倍降低切换损耗

VCEsat 减少 200mV

配有快速 Si 二极管技术

低 COES/EOSS

轻度正温度系数 VCEsa

Infineon igbt模块, 3针, Ic 50 A, VCEO 650 V, PG-TO-247, High Speed Fifth Generation系列

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