Infineon IGBT, Ic 80 A, VCEO 1200 V, PG-TO247-3-46
- RS 库存编号:
- 260-5092P
- 制造商零件编号:
- IKQ40N120CH3XKSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB55.26 |
| 10 - 99 | RMB50.89 |
| 100 - 239 | RMB42.13 |
| 240 + | RMB42.06 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-5092P
- 制造商零件编号:
- IKQ40N120CH3XKSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 80 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 500 W | |
| 配置 | 单 | |
| 封装类型 | PG-TO247-3-46 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 80 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 500 W | ||
配置 单 | ||
封装类型 PG-TO247-3-46 | ||
Infineon 硬切换高速 IGBT3,采用 TO247 PLUS 封装,带软质、快速的抗平行发射器控制二极管。
在硬切换和谐振拓扑中具有高效率
由于 VCEsat 中的正温度系数,易于并行功能
低门充电 QG
由于 VCEsat 中的正温度系数,易于并行功能
低门充电 QG