Infineon IGBT, 双, 2个, Ic 50 A, VCEO 1200 V, AG-34MM, 底盘安装

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包装方式：
RS 库存编号:
260-8888P
制造商零件编号:
FF50R12RT4HOSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

50A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

晶体管数

2

最大功耗 Pd

285W

配置

双

包装类型

AG-34MM

安装类型

底盘

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.25V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon 双 IGBT 模块为 34 mm 1200 V、50 A 快速 TRENCHSTOP IGBT4 和发射器控制 4 二极管。VCEsat 具有正温度系数,具有灵活性、最佳电气性能和最高可靠性。

扩展工作温度

低切换损耗

低 VCEsat

绝缘基板

标准壳体

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