Infineon IGBT, 双, 2个, Ic 50 A, VCEO 1200 V, AG-34MM, 底盘安装
- RS 库存编号:
- 260-8888P
- 制造商零件编号:
- FF50R12RT4HOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB792.20 |
| 10 - 49 | RMB776.35 |
| 50 + | RMB739.83 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-8888P
- 制造商零件编号:
- FF50R12RT4HOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 50A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 最大功耗 Pd | 285W | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 配置 | 双 | |
| 包装类型 | AG-34MM | |
| 安装类型 | 底盘 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.25V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 50A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
最大功耗 Pd 285W | ||
晶体管数 2 | ||
配置 双 | ||
包装类型 AG-34MM | ||
安装类型 底盘 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.25V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 双 IGBT 模块为 34 mm 1200 V、50 A 快速 TRENCHSTOP IGBT4 和发射器控制 4 二极管。VCEsat 具有正温度系数,具有灵活性、最佳电气性能和最高可靠性。
扩展工作温度
低切换损耗
低 VCEsat
绝缘基板
标准壳体