Infineon IGBT, 双个, Ic 50 A, VCEO 1200 V, AG-34MM, 底盘安装
- RS 库存编号:
- 260-8888P
- 制造商零件编号:
- FF50R12RT4HOSA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 5 - 9 | RMB618.21 |
| 10 - 49 | RMB605.84 |
| 50 + | RMB577.34 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-8888P
- 制造商零件编号:
- FF50R12RT4HOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 50 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 285 W | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 配置 | 双 | |
| 封装类型 | AG-34MM | |
| 安装类型 | 底盘 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 50 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 285 W | ||
晶体管数 2 | ||
配置 双 | ||
封装类型 AG-34MM | ||
安装类型 底盘 | ||
Infineon 双 IGBT 模块为 34 mm 1200 V、50 A 快速 TRENCHSTOP IGBT4 和发射器控制 4 二极管。VCEsat 具有正温度系数,具有灵活性、最佳电气性能和最高可靠性。
扩展工作温度
低切换损耗
低 VCEsat
绝缘基板
标准壳体
低切换损耗
低 VCEsat
绝缘基板
标准壳体