Infineon N沟道IGBT, Ic 200 A, VCEO 1700 v, 7针, 62MMHB, 面板安装

可享批量折扣

小计(1 托盘,共 10 件)*

¥8,149.19

(不含税)

¥9,208.58

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
暂时缺货
  • 2026年3月09日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
Per Tray*
10 - 10RMB814.919RMB8,149.19
20 +RMB798.621RMB7,986.21

* 参考价格

RS 库存编号:
273-2916
制造商零件编号:
FF200R17KE4HOSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

最大连续集电极电流

200 A

最大集电极-发射极电压

1700 v

最大栅极发射极电压

±20V

晶体管数

1

最大功率耗散

1250 W

配置

共发射极

封装类型

62MMHB

安装类型

面板

通道类型

N

引脚数目

7

Infineon 双 IGBT 模块,带快速 IGBT4 和发射器控制 4 二极管。

最佳电气性能
最高可靠性

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。