Infineon N型沟道 IGBT, 共发射极, 1个, Ic 200 A, VCEO 1700 V, 7引脚, 62MMH, 面板安装

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RS 库存编号:
273-2918
制造商零件编号:
FF200R17KE4HOSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

IGBT

最大连续集电极电流 Ic

200A

最大集电极-发射极电压 Vceo

1700V

最大功耗 Pd

1250W

晶体管数

1

配置

共发射极

包装类型

62MMH

安装类型

面板

槽架类型

N型

引脚数目

7

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.45V

最低工作温度

-40°C

最高工作温度

150°C

标准/认证

IEC 61140

高度

30.5mm

长度

106.4mm

汽车标准

否

Infineon 双 IGBT 模块,带快速 IGBT4 和发射器控制 4 二极管。

最佳电气性能

最高可靠性

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