Infineon N沟道IGBT, 7针, 1个晶体管, Ic 200 A, VCEO 1700 V, 62MMH
- RS 库存编号:
- 273-2918
- 制造商零件编号:
- FF200R17KE4HOSA1
- 制造商:
- Infineon
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- 273-2918
- 制造商零件编号:
- FF200R17KE4HOSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 200A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1700V | |
| 最大功耗 Pd | 1250W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 配置 | 共发射极 | |
| 包装类型 | 62MMH | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 槽架类型 | N | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.45V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 30.5mm | |
| 长度 | 106.4mm | |
| 宽度 | 61.4mm | |
| 标准/认证 | IEC 61140 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 200A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1700V | ||
最大功耗 Pd 1250W | ||
晶体管数 1 | ||
配置 共发射极 | ||
包装类型 62MMH | ||
安装类型 面板 | ||
槽架类型 N | ||
引脚数目 7 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.45V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 30.5mm | ||
长度 106.4mm | ||
宽度 61.4mm | ||
标准/认证 IEC 61140 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 双 IGBT 模块,带快速 IGBT4 和发射器控制 4 二极管。
最佳电气性能
最高可靠性
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