Infineon N沟道IGBT, 31针, 7个晶体管, Ic 75 A, VCEO 1200 V, EconoPIM2

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RS 库存编号:
273-2927
制造商零件编号:
FP75R12N2T7BPSA2
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

75A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

最大功耗 Pd

20mW

晶体管数

7

配置

共发射极

包装类型

EconoPIM2

安装类型

面板

槽架类型

N

引脚数目

31

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.77V

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最高工作温度

175°C

标准/认证

IEC 60749, IEC 60068, IEC 60747

高度

20.5mm

宽度

45mm

长度

107.5mm

汽车标准

否

Infineon 三相 PIM IGBT 模块,带 IGBT7、发射器控制 7 二极管和 NTC。PIM(电源集成模块),带整流器和制动刀片集成,可节省系统成本。

高可靠性和功率密度

铜基板,用于优化散热

高功率密度

焊接触点技术

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