Infineon N沟道IGBT, 7个, Ic 75 A, VCEO 1200 V, 31针, 面板安装
- RS 库存编号:
- 273-2927
- 制造商零件编号:
- FP75R12N2T7BPSA2
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2927
- 制造商零件编号:
- FP75R12N2T7BPSA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 75 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 晶体管数 | 7 | |
| 最大功率耗散 | 20 mW | |
| 配置 | 共发射极 | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 31 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 75 A | ||
最大集电极-发射极电压 1200 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
晶体管数 7 | ||
最大功率耗散 20 mW | ||
配置 共发射极 | ||
安装类型 面板 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 31 | ||
Infineon 三相 PIM IGBT 模块,带 IGBT7、发射器控制 7 二极管和 NTC。PIM(电源集成模块),带整流器和制动刀片集成,可节省系统成本。
高可靠性和功率密度
铜基板,用于优化散热
高功率密度
焊接触点技术
铜基板,用于优化散热
高功率密度
焊接触点技术