Infineon N型沟道, FS50R12KT3BPSA1 IGBT, 共发射极, 6个, Ic 75 A, VCEO 1200 V, 28引脚, 模块, 面板安装
- RS 库存编号:
- 273-2929
- 制造商零件编号:
- FS50R12KT3BPSA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 托盘，共 15 件）*
¥7,289.355
(不含税)
¥8,236.965
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年6月18日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | Per Tray* |
|---|---|---|
| 15 - 15 | RMB485.957 | RMB7,289.36 |
| 30 + | RMB476.238 | RMB7,143.57 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2929
- 制造商零件编号:
- FS50R12KT3BPSA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 75A | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 晶体管数 | 6 | |
| 最大功耗 Pd | 280W | |
| 配置 | 共发射极 | |
| 包装类型 | 模块 | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 引脚数目 | 28 | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.15V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 长度 | 107.5mm | |
| 宽度 | 45 mm | |
| 标准/认证 | IEC61140, EN61140 | |
| 高度 | 20.5mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 IGBT | ||
最大连续集电极电流 Ic 75A | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
晶体管数 6 | ||
最大功耗 Pd 280W | ||
配置 共发射极 | ||
包装类型 模块 | ||
安装类型 面板 | ||
槽架类型 N型 | ||
引脚数目 28 | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.15V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 125°C | ||
长度 107.5mm | ||
宽度 45 mm | ||
标准/认证 IEC61140, EN61140 | ||
高度 20.5mm | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 模块,带快速 TRENCHSTOP IGBT3、发射器控制 HE 二极管和 NTC。
已建立的 Econo 模块概念
提供集成温度传感器
低偏移电感模块设计