Infineon N型沟道 IGBT, 共发射极, 6个, Ic 75 A, VCEO 1200 V, 28引脚, 模块, 面板安装

可享批量折扣

小计(1 件)*

¥486.00

(不含税)

¥549.18

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 11 件在 2026年3月30日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位
每单位
1 - 4RMB486.00
5 - 9RMB471.42
10 - 24RMB461.99
25 +RMB452.75

* 参考价格

RS 库存编号:
273-2930
制造商零件编号:
FS50R12KT3BPSA1
制造商:
Infineon
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Infineon

产品类型

IGBT

最大连续集电极电流 Ic

75A

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

最大功耗 Pd

280W

晶体管数

6

配置

共发射极

包装类型

模块

安装类型

面板

槽架类型

N型

引脚数目

28

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

2.15V

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最高工作温度

125°C

长度

107.5mm

高度

20.5mm

标准/认证

IEC61140, EN61140

汽车标准

Infineon IGBT 模块,带快速 TRENCHSTOP IGBT3、发射器控制 HE 二极管和 NTC。

已建立的 Econo 模块概念

提供集成温度传感器

低偏移电感模块设计