制造商编号

Infineon N沟道IGBT, 6个晶体管, Ic 50 A, VCEO 1200 V, 模块

RS 库存编号:: 273-2931
制造商零件编号:: FS50R12W1T7B11BOMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道IGBT, 6个晶体管, Ic 50 A, VCEO 1200 V, 模块

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RS 库存编号:: 273-2931
制造商零件编号:: FS50R12W1T7B11BOMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	IGBT
	最大连续集电极电流 Ic	50A
	最大集电极-发射极电压 Vceo	1200V
	最大功耗 Pd	20mW
	晶体管数	6
	配置	共发射极
	包装类型	模块
	安装类型	面板
	槽架类型	N
	最低工作温度	-40°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT	1.64V
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最高工作温度	125°C
	宽度	33.8mm
	标准/认证	EN61140, IEC61140
	高度	16.4mm
	长度	62.8mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 IGBT
	最大连续集电极电流 Ic 50A
	最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V
	最大功耗 Pd 20mW
	晶体管数 6
	配置共发射极
	包装类型模块
	安装类型面板
	槽架类型 N
	最低工作温度 -40°C
	最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.64V
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最高工作温度 125°C
	宽度 33.8mm
	标准/认证 EN61140, IEC61140
	高度 16.4mm
	长度 62.8mm
	汽车标准否

Datasheet - FS50R12W1T7B11BOMA1

Infineon IGBT 模块,带 TRENCHSTOP IGBT7、发射器控制 7 二极管、NTC 和 pressFIT 触点技术。

高功率密度

紧凑型设计

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