Infineon N型沟道 IGBT, 共发射极, 6个, Ic 50 A, VCEO 1200 V, 模块, 面板安装

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RS 库存编号:
273-2932
制造商零件编号:
FS50R12W1T7B11BOMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

最大连续集电极电流 Ic

50A

产品类型

IGBT

最大集电极-发射极电压 Vceo

1200V

晶体管数

6

最大功耗 Pd

20mW

包装类型

模块

配置

共发射极

安装类型

面板

槽架类型

N型

最低工作温度

-40°C

最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT

1.64V

最大栅极发射极电压 VGEO

20 V

最高工作温度

125°C

高度

16.4mm

标准/认证

EN61140, IEC61140

长度

62.8mm

汽车标准

Infineon IGBT 模块,带 TRENCHSTOP IGBT7、发射器控制 7 二极管、NTC 和 pressFIT 触点技术。

高功率密度

紧凑型设计