Infineon N型沟道 IGBT, 共发射极, 6个, Ic 50 A, VCEO 1200 V, 模块, 面板安装
- RS 库存编号:
- 273-2932
- 制造商零件编号:
- FS50R12W1T7B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥281.42
(不含税)
¥318.00
(含税)
有库存
- 2 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 4 | RMB281.42 |
| 5 - 9 | RMB275.76 |
| 10 - 24 | RMB255.78 |
| 25 - 49 | RMB234.47 |
| 50 + | RMB229.78 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2932
- 制造商零件编号:
- FS50R12W1T7B11BOMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 50A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 1200V | |
| 晶体管数 | 6 | |
| 最大功耗 Pd | 20mW | |
| 配置 | 共发射极 | |
| 包装类型 | 模块 | |
| 安装类型 | 面板 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 1.64V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 最高工作温度 | 125°C | |
| 宽度 | 33.8 mm | |
| 长度 | 62.8mm | |
| 高度 | 16.4mm | |
| 标准/认证 | EN61140, IEC61140 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 Ic 50A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 1200V | ||
晶体管数 6 | ||
最大功耗 Pd 20mW | ||
配置 共发射极 | ||
包装类型 模块 | ||
安装类型 面板 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 1.64V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
最高工作温度 125°C | ||
宽度 33.8 mm | ||
长度 62.8mm | ||
高度 16.4mm | ||
标准/认证 EN61140, IEC61140 | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon IGBT 模块,带 TRENCHSTOP IGBT7、发射器控制 7 二极管、NTC 和 pressFIT 触点技术。
高功率密度
紧凑型设计