Infineon N沟道IGBT, Ic 1899-12-31 06:00:00, VCEO 600 V, 3针, TO-263, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 273-2966
- 制造商零件编号:
- IKB06N60TATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2966
- 制造商零件编号:
- IKB06N60TATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 1899-12-31 06:00:00 | |
| 最大集电极-发射极电压 | 600 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 88 W | |
| 晶体管数 | 1 | |
| 封装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 1899-12-31 06:00:00 | ||
最大集电极-发射极电压 600 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 88 W | ||
晶体管数 1 | ||
封装类型 TO-263 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 3 | ||
Infineon IGBT3 压缩,采用 TO263 D2Pak 封装的全额定自由旋转二极管,可显著改善设备的静态和动态性能,这得益于隧道电池和现场顶部概念的组合。组合
高坚固性和温度稳定性
非常紧凑的参数分布
高设备可靠性
非常紧凑的参数分布
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