STMicroelectronics NPN沟道IGBT, 双个, Ic 200 A, VCEO 650 V, 9针, ECOPACK, 贴片安装

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包装方式:
RS 库存编号:
273-5094
制造商零件编号:
STGSB200M65DF2AG
制造商:
STMicroelectronics
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品牌

STMicroelectronics

最大连续集电极电流

200 A

最大集电极-发射极电压

650 V

最大栅极发射极电压

±20V

最大功率耗散

714 W

晶体管数

2

封装类型

ECOPACK

配置

安装类型

贴片

通道类型

NPN

引脚数目

9

COO (Country of Origin):
CN
STMicroelectronics 汽车级槽门现场停止低损耗 M 系列 IGBT,采用 ACEPACK SMIT 封装。此设备是使用先进的专有槽门现场停止结构开发的 IGBT。该设备是 M 系列 IGBT 的一部分,它代表了变频器系统性能和效率之间的最佳平衡,在那里低损耗和短路功能是必不可少的。

紧凑型参数分布
低热阻
直接粘合铜 (DBC) 基板上的扳手

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。