STMicroelectronics NPN沟道, STGSB200M65DF2AG IGBT, 单管, 2个, Ic 216 A, VCEO 650 V, 9引脚, ECOPACK, 表面安装
- RS 库存编号:
- 273-5094
- 制造商零件编号:
- STGSB200M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
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单位 | 每单位 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5094
- 制造商零件编号:
- STGSB200M65DF2AG
- 制造商:
- STMicroelectronics
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | STMicroelectronics | |
| 最大连续集电极电流 Ic | 216A | |
| 产品类型 | IGBT | |
| 最大集电极-发射极电压 Vceo | 650V | |
| 晶体管数 | 2 | |
| 最大功耗 Pd | 714W | |
| 包装类型 | ECOPACK | |
| 配置 | 单 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 槽架类型 | NPN | |
| 引脚数目 | 9 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT | 2.05V | |
| 最大栅极发射极电压 VGEO | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 5.5mm | |
| 标准/认证 | UL1557 | |
| 长度 | 4mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 STMicroelectronics | ||
最大连续集电极电流 Ic 216A | ||
产品类型 IGBT | ||
最大集电极-发射极电压 Vceo 650V | ||
晶体管数 2 | ||
最大功耗 Pd 714W | ||
包装类型 ECOPACK | ||
配置 单 | ||
安装类型 表面 | ||
槽架类型 NPN | ||
引脚数目 9 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大集电极-发射极饱和电压 VceSAT 2.05V | ||
最大栅极发射极电压 VGEO 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 5.5mm | ||
标准/认证 UL1557 | ||
长度 4mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
STMicroelectronics 汽车级槽门现场停止低损耗 M 系列 IGBT,采用 ACEPACK SMIT 封装。此设备是使用先进的专有槽门现场停止结构开发的 IGBT。该设备是 M 系列 IGBT 的一部分,它代表了变频器系统性能和效率之间的最佳平衡,在那里低损耗和短路功能是必不可少的。
紧凑型参数分布
低热阻
直接粘合铜 (DBC) 基板上的扳手