制造商编号

Infineon N沟道IGBT, 8针, 1个晶体管, Ic 153 A, VCEO 25 V, PG-TDSON-8

RS 库存编号:: 273-5233
制造商零件编号:: BSC018NE2LSATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道IGBT, 8针, 1个晶体管, Ic 153 A, VCEO 25 V, PG-TDSON-8

小计（1 卷，共 5000 件）*

RMB19,910.00

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单位	每单位	每卷*
5000 +	RMB3.982	RMB19,910.00

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RS 库存编号:: 273-5233
制造商零件编号:: BSC018NE2LSATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	最大连续集电极电流 Ic	153A
	产品类型	IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo	25V
	最大功耗 Pd	2.5W
	晶体管数	1
	包装类型	PG-TDSON-8
	安装类型	通孔
	槽架类型	N
	引脚数目	8
	最大栅极发射极电压 VGEO	20 V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	长度	5.1mm
	高度	1.51mm
	标准/认证	IEC61249-2-21
	宽度	6.1mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	最大连续集电极电流 Ic 153A
	产品类型 IGBT
	最大集电极-发射极电压 Vceo 25V
	最大功耗 Pd 2.5W
	晶体管数 1
	包装类型 PG-TDSON-8
	安装类型通孔
	槽架类型 N
	引脚数目 8
	最大栅极发射极电压 VGEO 20 V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	长度 5.1mm
	高度 1.51mm
	标准/认证 IEC61249-2-21
	宽度 6.1mm
	汽车标准否

Datasheet - BSC018NE2LSATMA1

Infineon MOSFET 是 25 V N 通道 MOSFET。它经过优化,用于高性能降压转换器。此 MOSFET 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。此 MOSFET 无卤,符合 IEC61249 2 21 标准。

符合 RoHS 标准

无铅引线镀层

非常低的接通电阻

卓越的耐热性

100% 风暴测试

Infineon N沟道IGBT, 8针, 1个晶体管, Ic 153 A, VCEO 25 V, PG-TDSON-8

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