Infineon N沟道IGBT, Ic 153 A, VCEO 25 V, 8针, PG-TDSON-8, 通孔安装
- RS 库存编号:
- 273-5234
- 制造商零件编号:
- BSC018NE2LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-5234
- 制造商零件编号:
- BSC018NE2LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 最大连续集电极电流 | 153 A | |
| 最大集电极-发射极电压 | 25 V | |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V | |
| 最大功率耗散 | 2.5 W | |
| 封装类型 | PG-TDSON-8 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 通道类型 | N | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
最大连续集电极电流 153 A | ||
最大集电极-发射极电压 25 V | ||
最大栅极发射极电压 ±20V | ||
最大功率耗散 2.5 W | ||
封装类型 PG-TDSON-8 | ||
安装类型 通孔 | ||
通道类型 N | ||
引脚数目 8 | ||
Infineon MOSFET 是 25 V N 通道 MOSFET。它经过优化,用于高性能降压转换器。此 MOSFET 符合 JEDEC 标准,适用于目标应用。此 MOSFET 无卤,符合 IEC61249 2 21 标准。
符合 RoHS 标准
无铅引线镀层
非常低的接通电阻
卓越的耐热性
100% 风暴测试
无铅引线镀层
非常低的接通电阻
卓越的耐热性
100% 风暴测试